Infineon представляє нове покоління CoolSiC MOSFET: інновації для ефективності та надійності
Мюнхен, Німеччина – 1 серпня 2025 року – Компанія Infineon Technologies, визнаний лідер у галузі напівпровідникових рішень, з гордістю оголошує про випуск нової серії своїх високоефективних MOSFET-транзисторів на основі карбіду кремнію (SiC) – CoolSiC™. Ця інноваційна лінійка продуктів, що отримала назву “термооптимізована”, спрямована на подальше підвищення ефективності, зменшення втрат та збільшення надійності в широкому спектрі застосувань.
Інновації, що змінюють правила гри
За останні роки карбід кремнію (SiC) став справжньою революцією в силовій електроніці, пропонуючи значні переваги порівняно з традиційними кремнієвими рішеннями. SiC-пристрої здатні працювати при вищих температурах, забезпечувати менші втрати енергії та мати більш компактні розміри. Infineon, будучи піонером у розробці SiC-технологій, постійно вдосконалює свої продукти, щоб задовольнити зростаючі потреби ринку.
Нова серія CoolSiC™ MOSFET вже на старті демонструє вражаючі результати. Основною перевагою є термооптимізація, що означає ретельне проектування та виробництво з урахуванням теплових характеристик. Це дозволяє пристроям ефективніше розсіювати тепло, навіть в умовах високих навантажень та обмеженого охолодження. Така оптимізація сприяє зменшенню робочих температур, що, у свою чергу, позитивно впливає на довговічність та надійність компонента.
Ключові переваги нової серії CoolSiC™ MOSFET:
- Зменшені втрати енергії: Це головна перевага SiC-технологій, і нова серія CoolSiC™ не є винятком. Зменшення втрат при комутації та провідності призводить до підвищення загальної ефективності системи, що особливо критично для таких галузей, як електромобілі, відновлювана енергетика та промислові джерела живлення.
- Підвищена надійність: Термооптимізація, разом із вродженими властивостями SiC, забезпечує значно вищу надійність пристроїв. Можливість роботи при вищих температурах та менші температурні градієнти всередині компонента знижують ризик теплового розгону та інших збоїв.
- Компактніші рішення: Завдяки високій ефективності та зменшенню потреби в масивних системах охолодження, нові CoolSiC™ MOSFET дозволяють створювати більш компактні та легкі пристрої. Це відкриває нові можливості для мініатюризації в автомобільній, споживчій електроніці та промисловому обладнанні.
- Широкий спектр застосувань: Термооптимізовані CoolSiC™ MOSFET ідеально підходять для різноманітних завдань, включаючи:
- Електромобільність: бортові зарядні пристрої, інвертори, системи керування батареями.
- Відновлювана енергетика: сонячні інвертори, вітрогенератори.
- Промислові джерела живлення: високоефективні блоки живлення для дата-центрів, промислових роботів.
- Системи накопичення енергії: системи управління батареями.
Погляд у майбутнє
Infineon Technologies продовжує демонструвати свою відданість інноваціям у галузі силової електроніки. Випуск термооптимізованої серії CoolSiC™ MOSFET є черговим кроком на шляху до створення більш ефективних, надійних та екологічно чистих енергетичних рішень. Компанія впевнена, що ці нові компоненти допоможуть її клієнтам досягти нових вершин у своїх розробках та зробити значний внесок у побудову більш сталого майбутнього.
Infineon adds thermally optimised CoolSiC MOSFET
ШІ надав новини.
Наступне питання використовувалося для отримання відповіді від Google Gemini:
О 2025-08-01 05:11 ‘Infineon adds thermally optimised CoolSiC MOSFET’ було опубліковано Electronics Weekly. Будь ласка, напишіть детальну статтю з відповідною інформацією в м’якому тоні. Будь ласка, дайте відповідь українською мовою, включивши лише статтю.